这些板材坚固耐用、微语纹路天然，是中优中之选。

录精（e）具有20nmLG的三个弹道2DInSeFET的典型传输特性和已报道的最佳开关亚50-nm2DFET。然而，感亲根本到目前为止，感亲根本还没有实验结果表明，在0.7V的标准电源电压（商用硅10nm节点中的电源电压）下，基于2D半导体的FET的导通电流和跨导可以超过最先进的硅FET，基于2D半导体的FET的实验结果仍然远远落后于理论预测，不足以显示2D半导体的最终潜力。

原因（c,d）VDD=0.5V时弹道2DInSeFET和VDD=1V时LG低于50nm的其他2DFET（VDD=VDS=VGS）的导通电流（ION）和峰值跨导比较。该研究设计的InSeFET可以有效抑制短沟道效应，微语其低亚阈值摆动（SS）为每十年75mV，漏极诱导的势垒降低（DIBL）为22mVV-1。录精（j）使用Y掺杂诱导相变接触的典型10nm弹道InSeFET和直接使用传统Ti/Au接触的典型10nmInSeFET的输出特性。

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